Standard

Harvard

APA

Vancouver

Author

BibTeX

@book{dbce05731d3b4565a0b47bf36c539d43,
title = "Физические основы микро- и наноэлектроники: учебное пособие",
abstract = "Пособие содержит описания физических эффектов и их компонентов, классификацию веществ, модели энергетических зон и ковалентных связей, физическое описание собственного и примесного полупроводника, применение и характеристики однородных полупроводников. Рассмотрено равновесное и неравновесное состояние p‑n перехода, токи в нем, виды пробоев, туннелирование в сильнолегированных p‑n переходах, гетеропереходы, вольтамперные характеристики переходов. В конце пособия приводятся практические и домашние задания.",
author = "Дурнаков, {Андрей Адольфович} and Наронов, {Алексей Сергеевич}",
editor = "Калмыков, {Алексей Андреевич}",
note = "учебное пособие: Рекомендовано методическим советом Уральского федерального университета для студентов вуза, обучающихся по направлениям подготовки 11.03.03 - Конструирование и технология электронных средств, 11.03.01 ‒ Радиотехника",
year = "2020",
language = "Русский",
isbn = "978-5-7996-2983-0 ",
publisher = "Издательство Уральского университета",
address = "Российская Федерация",

}

RIS

TY - BOOK

T1 - Физические основы микро- и наноэлектроники

T2 - учебное пособие

AU - Дурнаков, Андрей Адольфович

A2 - Калмыков, Алексей Андреевич

A2 - Наронов, Алексей Сергеевич

N1 - учебное пособие: Рекомендовано методическим советом Уральского федерального университета для студентов вуза, обучающихся по направлениям подготовки 11.03.03 - Конструирование и технология электронных средств, 11.03.01 ‒ Радиотехника

PY - 2020

Y1 - 2020

N2 - Пособие содержит описания физических эффектов и их компонентов, классификацию веществ, модели энергетических зон и ковалентных связей, физическое описание собственного и примесного полупроводника, применение и характеристики однородных полупроводников. Рассмотрено равновесное и неравновесное состояние p‑n перехода, токи в нем, виды пробоев, туннелирование в сильнолегированных p‑n переходах, гетеропереходы, вольтамперные характеристики переходов. В конце пособия приводятся практические и домашние задания.

AB - Пособие содержит описания физических эффектов и их компонентов, классификацию веществ, модели энергетических зон и ковалентных связей, физическое описание собственного и примесного полупроводника, применение и характеристики однородных полупроводников. Рассмотрено равновесное и неравновесное состояние p‑n перехода, токи в нем, виды пробоев, туннелирование в сильнолегированных p‑n переходах, гетеропереходы, вольтамперные характеристики переходов. В конце пособия приводятся практические и домашние задания.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=42818784

M3 - Учебное издание

SN - 978-5-7996-2983-0

BT - Физические основы микро- и наноэлектроники

PB - Издательство Уральского университета

CY - Екатеринбург

ER -

ID: 12771028