Standard

Harvard

APA

Vancouver

Author

BibTeX

@book{9aaca5357ca44a519ec889ff4e03f997,
title = "Современные устройства и элементы наноэлектроники: учебное пособие",
abstract = "В пособии рассмотрены физические основы, а также основные типы современных и перспективных элементов наноэлектроники. Особое внимание уделено полевым транзисторам с индуцированным каналом (МОП), их масштабированию и побочным эффектам миниатюризации. Рассмотрены краткие теоретические сведения и задания для практических занятий по разделам, не нашедшим отражения в основной части пособия. Настоящее пособие может быть использовано в учебных целях в вузах физического, приборостроительного и электротехнического профилей.",
author = "Бунтов, {Евгений Александрович} and Вохминцев, {Александр Сергеевич} and Штанг, {Татьяна Владимировна} and Марченков, {Вячеслав Викторович}",
editor = "Никифоров, {Сергей Владимирович}",
note = "Учебно-методическое пособие : Рекомендовано методическим советом Уральского федерального университета для студентов вуза, обучающихся по направлениям подготовки 11.03.04, 11.04.04 — Электроника и наноэлектроника; 28.04.02 — Наноинженерия",
year = "2020",
language = "Русский",
isbn = "978-5-7996-3090-4",
publisher = "Издательство Уральского университета",
address = "Российская Федерация",

}

RIS

TY - BOOK

T1 - Современные устройства и элементы наноэлектроники

T2 - учебное пособие

AU - Бунтов, Евгений Александрович

AU - Вохминцев, Александр Сергеевич

AU - Штанг, Татьяна Владимировна

A2 - Никифоров, Сергей Владимирович

A2 - Марченков, Вячеслав Викторович

N1 - Учебно-методическое пособие : Рекомендовано методическим советом Уральского федерального университета для студентов вуза, обучающихся по направлениям подготовки 11.03.04, 11.04.04 — Электроника и наноэлектроника; 28.04.02 — Наноинженерия

PY - 2020

Y1 - 2020

N2 - В пособии рассмотрены физические основы, а также основные типы современных и перспективных элементов наноэлектроники. Особое внимание уделено полевым транзисторам с индуцированным каналом (МОП), их масштабированию и побочным эффектам миниатюризации. Рассмотрены краткие теоретические сведения и задания для практических занятий по разделам, не нашедшим отражения в основной части пособия. Настоящее пособие может быть использовано в учебных целях в вузах физического, приборостроительного и электротехнического профилей.

AB - В пособии рассмотрены физические основы, а также основные типы современных и перспективных элементов наноэлектроники. Особое внимание уделено полевым транзисторам с индуцированным каналом (МОП), их масштабированию и побочным эффектам миниатюризации. Рассмотрены краткие теоретические сведения и задания для практических занятий по разделам, не нашедшим отражения в основной части пособия. Настоящее пособие может быть использовано в учебных целях в вузах физического, приборостроительного и электротехнического профилей.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=44093716

M3 - Учебное издание

SN - 978-5-7996-3090-4

BT - Современные устройства и элементы наноэлектроники

PB - Издательство Уральского университета

CY - Екатеринбург

ER -

ID: 14064830