В статье рассмотрены методы обеспечения сбоеустойчивости микросхем космического назначения к воздействию тяжелых заряженных частиц. Приводятся параметры микросхем, содержащих защиту от одиночных сбоев. Исследуется защита ПЗУ, ОЗУ, регистров и других элементов микросхем, а также потери площади кристалла при реализации методов защиты.