Research output: Patent
Research output: Patent
}
TY - PAT
T1 - Резистивный материал
T2 - патент на изобретение
AU - Мельникова, Нина Владимировна
AU - Хейфец, Ольга Леонидовна
AU - Бабушкин, Алексей Николаевич
AU - Филиппов, Алексей Леонидович
AU - Курочка, Кирилл Викторович
PY - 2014/11/20
Y1 - 2014/11/20
N2 - Изобретение относится к радио- и микроэлектронике, а именно к резистивному материалу, содержащему халькогениды серебра, мышьяка и германия. При этом материал дополнительно содержит селенид меди согласно эмпирической формуле: (Ag2Se)x·(Cu2Se)(1-x)·(As2Se3)·(GeSe)2, где 0,6≤х≤0,95. Материал обеспечивает интервал рабочих температур 10-150°С, время релаксации электросопротивления от 15 до 650 секунд, повышение величины электросопротивления до 105-107 Ом·м.
AB - Изобретение относится к радио- и микроэлектронике, а именно к резистивному материалу, содержащему халькогениды серебра, мышьяка и германия. При этом материал дополнительно содержит селенид меди согласно эмпирической формуле: (Ag2Se)x·(Cu2Se)(1-x)·(As2Se3)·(GeSe)2, где 0,6≤х≤0,95. Материал обеспечивает интервал рабочих температур 10-150°С, время релаксации электросопротивления от 15 до 650 секунд, повышение величины электросопротивления до 105-107 Ом·м.
UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=37455467
M3 - Патент
M1 - 2533551
Y2 - 2013/07/23
PB - Федеральный институт промышленной собственности
ER -
ID: 12197411